Реферат на тему Технология нанесения толстых пленок проводящих материалов

Содержание


Введение 3
1. Оборудование 4
2. Режимы 6
3. Технология 7
4. Рецепты 8
Заключение 11
Список литературы 12


Введение

Важнейшие используемые в технологии микроэлектроники процессы – нанесение пленок и эпитаксиальных слоев, удаление (в растворах и паро-газовых средах) вещества с поверхности твердой фазы, легирование и диффузионное перераспределение – по своей сути являются физико-химическими и имеют особенности, связанные с их протеканием на поверхности или в объеме твердой фазы. Продуктом (полуфабрикатом) сложной совокупности технологических процессов является кусочек монокристалла объемом от долей до единиц кубического миллиметра в виде микрогетерогенного, заведомо метастабильного твердого тела, способного функционировать в весьма сложных условиях и практически без ограничения срока службы. В этом отношении технолог должен решить две диаметрально противоположные задачи: создать микрогетерогенное метастабильное твердое тело с максимальной дисперсностью неравновесных объемов и при этом обеспечить длительную стабильную работу всей схемы в целом, подавляя ее стремление к гомогенизации (выравниванию состава).
Толстые плёнки толщиной в несколько десятков мкм применяют для изготовления пассивных элементов: резисторов, конденсаторов, проводников и контактов.
В основе толстоплёночной технологии лежит использование дешёвых и высокопроизводительных процессов, требующих небольших единовременных затрат на подготовку производства, благодаря чему она оказывается экономически целесообразной и в условиях мелкосерийного производства. Высокая надёжность толстоплёночных элементов обусловлена прочным (свыше 50 кгс/см2) сцеплением с керамической подложкой, которое достигается процессом вжигания пасты в поверхностный слой керамики.
Цель работы – рассмотреть Технология нанесения толстых пленок проводящих материалов.
1. Оборудование

Создание высокопроизводительного оборудования для нанесения толстопленочных покрытий на подложки большой площади, в частности, архитектурные стекла и полимерные пленки, сделало актуальной проблему повышения коэффициента использования материала распыляемого катода. Первые конструкции планарных магнетронов имели этот показатель на уровне 15 – 25 %. Предложенная в 1982 г. концепция вращающегося цилиндрического магнетрона позволила увеличить коэффициент использования до 70 – 80%. Еще одним преимуществом магне